[发明专利]旁路二极管结构及旁路二极管在审
| 申请号： | 202310945873.9 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116936515A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 聂磊;王杭辰 | 申请（专利权）人： | 杭州道铭微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L31/044 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 田书亚 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市中国（浙江）自由贸*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种旁路二极管结构，包括第一框架、第二框架、晶粒以及跳片，所述第一框架和第二框架通过跳片连接在一起，所述晶粒焊接在第二框架上，所述跳片上设有晶粒连接端和引脚端，所述晶粒连接端焊接在晶粒上，所述引脚端有两个，分别为第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和第二引脚对称地焊接在第一框架上。本发明通过对二极管的结构进行改进，使得电流通过截面积增大，散热面积增大，提高了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 旁路 二极管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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