[发明专利]一种发光二极管外延片制备方法及外延片有效
| 申请号： | 202310813855.5 | 申请日： | 2023-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN116525730B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 徐超 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片制备方法及外延片，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上生长复合缺陷阻挡层；复合缺陷阻挡层包括依次生长于非掺杂GaN层上的CrAlN缺陷阻挡层、InSiN缺陷阻挡层及二维GaN层；在CrAlN缺陷阻挡层上生长InSiN缺陷阻挡层之前，先在CrAlN缺陷阻挡层上生长InN牺牲层，然后使InN牺牲层在H |
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| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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