[发明专利]一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法在审
| 申请号： | 202310794544.9 | 申请日： | 2023-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116752232A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;李佳乐;王垚;田旭升;李文吉;张雅超;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/16;C30B29/16;C30B25/14;H01L21/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法，主要解决现有重掺杂外延薄膜衬底使用成本高、缺陷密度高及载流子浓度低的问题。其实现方案为：选取蓝宝石衬底并进行清洗；将清洗好的衬底放入MOCVD的反应腔内进行预处理；通过改变反应室的温度、压强和反应源的比值，以在衬底上依次生长两层不同机理的缓冲层；再以GeH4为掺杂剂和催化剂，利用脉冲MOCVD法在第二缓冲层上外延浓度为10 |
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| 搜索关键词： | 一种 载流子 浓度 掺杂 氧化 外延 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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