[发明专利]一种碲镉汞掺杂激活率评估方法有效
| 申请号： | 202310744040.6 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116482150B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 彭成盼;张国杰;王旭杰;周进;郑晶晶;杜宇;刘文龙 | 申请（专利权）人： | 浙江珏芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2258 | 分类号： | G01N23/2258;G01N23/2202;G01B11/06;G01N27/00;G01N27/04;G01N27/72 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 323000 浙江省丽水市莲都*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞掺杂激活率评估方法，包括：步骤S1，对具有pn结外延层的碲镉汞材料层预处理，形成p型As掺杂的载流子外延层，且不存在n型层；步骤S2，对预处理后的材料层进行SIMS测试；步骤S3，对预处理后的材料层进行腐蚀剥层，去除部分外延层；步骤S4，对剥层后的材料层进行厚度测量；步骤S5，对剥层后的材料层进行霍尔测试；步骤S6，重复上述步骤S3至S5；步骤S7，结合霍尔测试的数据得到p型离子注入层载流子浓度，结合SIMS测试数据得到的As离子浓度，并计算出As离子激活率，优点在于只额外进行了一次较低温的热处理，工艺简单，成本低廉，准确高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲镉汞 掺杂 激活 评估 方法 | ||
【主权项】：
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