[发明专利]芯片封装方法、芯片封装模块和内埋衬底式芯片封装结构有效
申请号: | 202310685756.3 | 申请日: | 2023-06-12 |
公开(公告)号: | CN116417356B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 何正鸿 | 申请(专利权)人: | 甬矽半导体(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/3213;H01L21/3105;H01L23/31 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明的实施例提供了一种芯片封装方法、芯片封装模块和内埋衬底式芯片封装结构,涉及芯片封装技术领域,首先利用载具,在载具上形成第一塑封层,并在第一塑封层中形成第一导电柱,第一导电柱的顶端形成有凸台,然后通过微刻蚀工艺,对凸台进行刻蚀,能够在局部刻蚀凸台后,在凸台和第一导电柱之间形成止挡环,然后在贴装凹槽中贴装第一芯片,第一芯片为倒装结构。相较于现有技术,本发明通过微蚀刻形成止挡环,可以利用止挡环作为研磨中的停止层,从而能够通过自身结构确定研磨高度,避免研磨过程中造成过度研磨,保护芯片安全,提升器件可靠性。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 方法 模块 衬底 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造