[发明专利]芯片封装方法、芯片封装模块和内埋衬底式芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202310685756.3 申请日: 2023-06-12
公开(公告)号: CN116417356B 公开(公告)日: 2023-09-05
发明(设计)人: 何正鸿 申请(专利权)人: 甬矽半导体(宁波)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/3213;H01L21/3105;H01L23/31
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的实施例提供了一种芯片封装方法、芯片封装模块和内埋衬底式芯片封装结构,涉及芯片封装技术领域,首先利用载具,在载具上形成第一塑封层,并在第一塑封层中形成第一导电柱,第一导电柱的顶端形成有凸台,然后通过微刻蚀工艺,对凸台进行刻蚀,能够在局部刻蚀凸台后,在凸台和第一导电柱之间形成止挡环,然后在贴装凹槽中贴装第一芯片,第一芯片为倒装结构。相较于现有技术,本发明通过微蚀刻形成止挡环,可以利用止挡环作为研磨中的停止层,从而能够通过自身结构确定研磨高度,避免研磨过程中造成过度研磨,保护芯片安全,提升器件可靠性。
搜索关键词: 芯片 封装 方法 模块 衬底 结构
【主权项】:
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