[发明专利]一种集成反并联JBS的SiC槽栅MOSFET的制造方法在审
| 申请号： | 202310678076.9 | 申请日： | 2023-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN116682732A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 易波;石文坤;向勇;周嵘;徐艺;朱枝勇;李歆伟 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）;中国振华电子集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/329;H01L29/872;H01L29/78;H01L29/423;H01L27/07;H01L21/82 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 何丹 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于碳化硅功率半导体技术领域，具体涉及一种集成反并联JBS的SiC槽栅MOSFET的制造方法，本方法提供一种高击穿电压、高栅氧可靠性、低比导通电阻以及低反向导通压降的SiC槽栅MOSFET。成功将不兼容的SiC MOSFET以及JBS制作工艺结合在一起，降低制造成本，并且实现了栅氧化层以及肖特基结的P型电场屏蔽层单元胞内接地，提高了接地效果。通过集成JBS，避免了功率SiC MOSFET器件寄生体PN结的导通，降低了反向导通压降以及抑制了双极性退化效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 并联 jbs sic 槽栅 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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