[发明专利]芯片结构、存储介质、电子设备、量子芯片的制造方法和装置在审
| 申请号： | 202310620429.X | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116646271A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;赵勇杰 | 申请（专利权）人： | 本源量子计算科技（合肥）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;H10N60/01;H10N69/00;G06N10/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230008 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种芯片结构、存储介质、电子设备、量子芯片的制造方法和装置，属于量子计算领域。其中的量子芯片制造方法包括：从衬底选择多个指定区域、确定需要被制作的量子电路和测试电路、对准件，在对应区域制作各结构，以及切割衬底以获得量子芯片和测试芯片。该量子芯片的制造方法可以一并制作量子芯片和测试芯片，并且二者具有采用相同工艺条件制作的量子元件，因此，可以使得该测试芯片能够被用于准确、快速地完成对量子芯片中相应结构的测试，从而有助于提高量子芯片研发速度、缩短制造周期。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 存储 介质 电子设备 量子 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
