[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310617857.7 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116896883A | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李婕;黄家恩;李俊颖;刘逸青;王奕;曾晓梅;杨耀仁;张琮永 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;G11C11/4063;G11C11/4097;G11C11/408 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一感测放大器之间，并且被配置为将第一感测放大电路电连接到第一存储器阵列的第一位线。多个第二导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一字线驱动器之间，并且被配置为将第一字线驱动器电连接到第一存储器阵列的第一字线。本申请的实施还公开了一种制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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