[发明专利]具有高UIS能力的碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202310614478.2 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116387347B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;陈钱;陈银 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 范伟民 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种具有高UIS能力的碳化硅MOSFET器件及其制造方法，包括：N+衬底；外延生长形成于N+衬底顶层的N型漂移区，N型漂移区的顶层设有对称排列的P型基区，以及位于P型基区之间的N型电流扩展区，P型基区内设有阶梯沟槽，阶梯沟槽上匹配有阶梯功能区；阶梯沟槽包括位于P型基区顶层的宽阶梯沟槽以及位于宽阶梯沟槽底层的窄阶梯沟槽，阶梯功能区包括位于宽阶梯沟槽一侧的第一阶梯P+区、位于窄阶梯沟槽一侧的第二阶梯P+区以及位于窄阶梯沟槽底层的第三阶梯P+区，其中，第三阶梯P+区凸出于P型基区的底层，P型基区内还设有N+源区，第一阶梯P+区位于宽阶梯沟槽与N+源区之间。本申请提高了碳化硅MOSFET器件的UIS能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 uis 能力 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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