[发明专利]面向5G/6G射频前端芯片的低损耗非对称片上开关在审
| 申请号： | 202310584750.7 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116633336A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 沈光煦;徐昊澜;马海涛;韩叶 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K19/00;H03K19/0175;H04B1/40 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开面向5G/6G射频前端芯片的低损耗非对称片上开关，属于基本电子电路的技术领域。该非对称片上开关包括：第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口，通过第一开关臂中接入的第一并联谐振单元与第二开关臂接入的第二并联谐振单元组成耦合谐振结构，利用第二并联谐振单元的并联谐振实现高阻态，降低第二开关臂加载效应对第一开关臂损耗的影响，第二开关臂还可接入多级低通单元或多级耦合谐振拓扑改善开关带宽，同时实现非对称开关的低损耗、超宽带、高隔离和小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 射频 前端 芯片 损耗 对称 开关 | ||
【主权项】：
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