专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种新型轨枕检测平台-CN202320644053.1有效
  • 张辉;高晓成;袁昊山;韩叶;何玉硕;姬丞;刘霖泉;张腾;杨学策;姚欣;李洪杰;马佳哲;张森 - 河北交通职业技术学院
  • 2023-03-28 - 2023-10-27 - G01B5/28
  • 本实用新型公开了一种新型轨枕检测平台,涉及轨枕加工生产技术领域。该新型轨枕检测平台,包括传输机,传输机的顶部固定连接有弧形板,弧形板上开设有弧形通槽,弧形通槽与滑动杆的外壁滑动连接,滑动杆的内壁与固定杆的外壁滑动连接,固定杆的外壁固定连接有支架,支架上开设有滑槽,滑槽与滑动板滑动连接,滑动板的外壁固定连接有套筒,套筒的内壁与推板滑动连接,推板与内杆固定连接,内杆上固定连接有检测板,通过设置支架、滑动板、套筒、内杆和检测板,使通过向内按压滑动板,使检测板与轨枕的外壁进行贴合,使轨枕表面突出的骨料会使检测板带动内杆沿套筒的内壁向外移动,从而被工作人员观察到,达到对轨枕进行检测的效果。
  • 一种新型轨枕检测平台
  • [发明专利]基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关-CN202310771941.4在审
  • 沈光煦;马海涛;温毕敬;韩叶 - 南京邮电大学
  • 2023-06-27 - 2023-09-29 - H03K17/687
  • 本发明公开基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关,属于基本电子电路的技术领域。该非对称开关包括:第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口,第一开关臂在其包含的开关管关断时存在并联谐振,多个T型双模谐振电路组成的第二开关臂与接在两个开关臂输入端的耦合电容并联谐振,通过设计第一开关臂的耦合电感不大于第二开关臂的耦合电感,实现发射通道大耦合系数,即实现低TX损耗的同时实现宽带化,利用T型电感耦合谐振电路的拓扑,在相同尺寸下实现更高的RX隔离度和更宽的带宽。
  • 基于电感小型化tx损耗对称开关
  • [发明专利]面向5G/6G射频前端芯片的低损耗非对称片上开关-CN202310584750.7在审
  • 沈光煦;徐昊澜;马海涛;韩叶 - 南京邮电大学
  • 2023-05-22 - 2023-08-22 - H03K17/687
  • 本发明公开面向5G/6G射频前端芯片的低损耗非对称片上开关,属于基本电子电路的技术领域。该非对称片上开关包括:第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口,通过第一开关臂中接入的第一并联谐振单元与第二开关臂接入的第二并联谐振单元组成耦合谐振结构,利用第二并联谐振单元的并联谐振实现高阻态,降低第二开关臂加载效应对第一开关臂损耗的影响,第二开关臂还可接入多级低通单元或多级耦合谐振拓扑改善开关带宽,同时实现非对称开关的低损耗、超宽带、高隔离和小型化。
  • 面向射频前端芯片损耗对称开关
  • [发明专利]一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器-CN202310546348.X在审
  • 沈光煦;马海涛;韩叶 - 南京邮电大学
  • 2023-05-15 - 2023-08-08 - H03H9/15
  • 本发明公开了一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器,涉及射频集成电路设计技术领域,包括第一射频端口、第二射频端口、晶体管组、补偿电容、补偿电感和第一至第N直流端口,晶体管组包括第一至第N晶体管,第一至第N晶体管依次串联连接的,串联方式是:第i晶体管的源极或者漏极与第i+1晶体管的源极或者漏极连接,N为大于等于1的自然数,1≤i<N。本发明使用有源晶体管代替传统谐振结构中的电容,可以在同一电路拓扑下实现多个工作频率;充分考虑晶体管导通时的寄生电感,并通过加载补偿电容使寄生电感与加载的电容产生谐振,提升关断抑制度。
  • 一种利用晶体管寄生电感效应片上多模谐振器
  • [发明专利]一种基于交叉混合耦合的IPD滤波器-CN202310470878.0在审
  • 沈光煦;温毕敬;韩叶 - 南京邮电大学
  • 2023-04-27 - 2023-08-01 - H03H9/52
  • 本发明公开了一种基于交叉混合耦合的IPD滤波器,涉及射频集成电路设计技术领域,包括第一至第N谐振器和两个馈电结构,两个馈电结构分别与第一谐振器、第N谐振器一一连接,N≥3,谐振器包括一个两端开路的电感和一个加载电容结构,加载电容结构的两端分别与电感的两个开路端电连接,该谐振器包括四个边,一边是加载电容结构,一边是电感的一部分,另外两边同时包括电感和加载电容结构;第i谐振器和第(i+1)谐振器以第一耦合方式、第二耦合方式或者第三耦合方式互连,且第i’谐振器、第(i’+1)谐振器间的耦合方式与第(i’+1)谐振器、第(i’+2)谐振器间的耦合方式不相同。本发明具有宽带高选择性,能够提高器件性能的同时减小滤波器的尺寸。
  • 一种基于交叉混合耦合ipd滤波器
  • [发明专利]一种面向5G的高选择性多阶IPD滤波器-CN202310421187.1在审
  • 沈光煦;温毕敬;韩叶 - 南京邮电大学
  • 2023-04-19 - 2023-07-18 - H03H9/205
  • 本发明公开了一种面向5G的高选择性多阶IPD滤波器,涉及射频集成电路设计技术领域,包括第一至第N谐振器和两个馈电结构,两个馈电结构分别与第一谐振器、第N谐振器一一连接,N≥2,谐振器包括一个两端开路的电感和至少一个接地电容,接地电容加载在两端开路的电感的任意开路端;相邻的谐振器以第一耦合方式或第二耦合方式互连,这两种耦合方式交替出现;第一耦合方式为:相邻的谐振器的两个两端开路的电感感性互耦,第二耦合方式为:相邻的谐振器的两个两端开路的电感的开路端容性互耦。谐振器还可以包括加载电容结构,加载电容结构的两端分别与电感的两个开路端电连接。本发明具有宽带高选择性,能够提高器件性能的同时减小滤波器的尺寸。
  • 一种面向选择性ipd滤波器
  • [发明专利]一种2.5D多层频率选择表面-CN202110498867.4有效
  • 常玉梅;焦文翰;李波;韩叶;徐小梅 - 南京邮电大学
  • 2021-05-08 - 2022-07-08 - H01Q15/00
  • 本发明公开了一种2.5D多层频率选择表面,包括自上而下依次层叠的多层条带集总电阻的吸波层、空气层和金属反射层,吸收层包括第一介质板、第二介质板、第一FSS层、第二FSS层和第三FSS层,第一介质板与第二介质板压合而成,第一介质板位于第二介质板上,第一FSS层位于第一介质板上表面、第二FSS层位于第一介质板的下表面,第三FSS层位于第二介质板下表面。本发明能有效地保证带内高于‑1dB的强反射特性,具有较高的稳定性。
  • 一种2.5多层频率选择表面
  • [发明专利]一种基于网格地的透明微波吸收体-CN202111615818.0在审
  • 谢思雨;韩叶;冯崧育;陈佳悦;常玉梅 - 南京邮电大学
  • 2021-12-27 - 2022-04-26 - H01Q17/00
  • 本发明公开了一种基于网格地的透明微波吸收体,包括X×Y个周期排列的透明微波吸收体单元,X和Y均为大于1的整数,其中,透明微波吸收体单元包括依次至上而下设置的第一透明电路板、第二透明电路板和透明介质层,第一透明电路板位于透明介质层上方,第二透明电路板位于透明介质层下方;第一透明电路板的上表面或者下表面印制有1个或多个电磁谐振结构,第二透明电路板的上表面或者下表面印制有网格地,网格地是由横向及纵向垂直交错连接的金属细线构成。本发明能实现应用场景所需要的全吸收或者带通的性能。
  • 一种基于网格透明微波吸收体

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