[发明专利]对准装置、晶圆检测系统以及晶圆对准方法在审
| 申请号： | 202310581063.X | 申请日： | 2023-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN116581077A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王德进;马东旭;舒贻胜;刘远坤 | 申请（专利权）人： | 杭州长川科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/68;H01L21/66 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 梅景荣 |
| 地址： | 310051 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体检测技术领域，提供了一种对准装置、晶圆检测系统以及晶圆对准方法。该对准装置包括吸附动力源和吸附平台；吸附动力源具有互相独立设置的第一气路和第二气路；吸附平台能够绕第一轴线转动；吸附平台构造有第一吸附区和第二吸附区，第一吸附区与第一气路连通，第二吸附区与第二气路连通；第一吸附区设置有多个，并间隔分设于第二吸附区的外侧。如此，即可提高对晶圆的吸附固定效果，提高吸附稳定性，当吸附平台在外力作用下切换于转动与停止之间时，确保晶圆不会轻易发生偏移，提高晶圆的对准精度，从而提升制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 装置 检测 系统 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州长川科技股份有限公司，未经杭州长川科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310581063.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
