[发明专利]对准装置、晶圆检测系统以及晶圆对准方法在审
申请号: | 202310581063.X | 申请日: | 2023-05-19 |
公开(公告)号: | CN116581077A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 王德进;马东旭;舒贻胜;刘远坤 | 申请(专利权)人: | 杭州长川科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68;H01L21/66 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 梅景荣 |
地址: | 310051 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 装置 检测 系统 以及 方法 | ||
本申请涉及半导体检测技术领域,提供了一种对准装置、晶圆检测系统以及晶圆对准方法。该对准装置包括吸附动力源和吸附平台;吸附动力源具有互相独立设置的第一气路和第二气路;吸附平台能够绕第一轴线转动;吸附平台构造有第一吸附区和第二吸附区,第一吸附区与第一气路连通,第二吸附区与第二气路连通;第一吸附区设置有多个,并间隔分设于第二吸附区的外侧。如此,即可提高对晶圆的吸附固定效果,提高吸附稳定性,当吸附平台在外力作用下切换于转动与停止之间时,确保晶圆不会轻易发生偏移,提高晶圆的对准精度,从而提升制造良率。
技术领域
本申请涉及半导体检测技术领域,特别是涉及一种对准装置、晶圆检测系统以及晶圆对准方法。
背景技术
在进行晶圆加工制造中,需要利用晶圆对准装置对加工中的晶圆进行预对位,具体的,采用晶圆上的缺口以将晶圆调整至预设位置,以保证在下一级加工时,各个晶圆均处于相同的位置,方便后续工艺进行。在相关技术中,主要采用真空吸附的方式进行晶圆固定。然而,在晶圆对准装置带动晶圆在转动与停止之间切换时,由于吸附不稳定,会影响到晶圆的对准精度,导致制造良率较低。
发明内容
基于此,有必要提供一种对准装置,提高对晶圆的吸附固定效果,确保晶圆在转动或停止状态切换时不会发生偏移,提高晶圆的对准精度,从而提升制造良率。
一种对准装置,包括吸附动力源和吸附平台;所述吸附动力源具有互相独立设置的第一气路和第二气路;所述吸附平台能够绕第一轴线转动;所述吸附平台构造有第一吸附区和第二吸附区,所述第一吸附区与所述第一气路连通,所述第二吸附区与所述第二气路连通;所述第一吸附区设置有多个,并间隔分设于所述第二吸附区的外侧。
可以理解的是,通过对吸附平台进行分区域划分,以满足分区域吸附固定。其中,由于各个第一吸附区分设于第二吸附区的外侧,可以利用各个第一吸附区之间的配合,促使晶圆展平于吸附平台,并覆盖至第二吸附区上,提高晶圆相对第二吸附区的对准效果,从而提高第二吸附区对晶圆的吸附固定性。如此,即可提高对晶圆的吸附固定效果,提高吸附稳定性,当吸附平台在外力作用下切换于转动与停止之间时,确保晶圆不会轻易发生偏移,提高晶圆的对准精度,从而提升制造良率。
在一些实施例中,所述吸附平台包括吸附基座和分隔板;所述吸附基座构造有腔体,所述分隔板安装于所述吸附基座并容设于所述腔体内,所述腔体通过所述分隔板分隔成互不连通的第一腔体和第二腔体,所述第一腔体连通于所述第一气路和所述第一吸附区,所述第二腔体连通于所述第二气路和所述第二吸附区,所述第一吸附区和所述第二吸附区均设置于所述吸附基座沿所述第一轴线的同一侧。
在一些实施例中,所述吸附基座包括基体和扣设于所述基体的吸附盖板,所述基体与所述吸附盖板共同限定形成所述腔体,所述分隔板安装于所述基体与所述吸附盖板之间;所述基体构造有第一气孔,所述第一气孔连通于所述第一气路和所述第一腔体,所述基体构造有第二气孔,所述第二气孔连通于所述第二气路和所述第二腔体。
在一些实施例中,所述基体构造有连通于第一气孔的气道槽,所述气道槽位于所述第一腔体内;所述分隔板沿所述气道槽的路径分设有多个贯穿孔,每个所述贯穿孔连通于一所述第一吸附区。
在一些实施例中,所述分隔板构造有穿设孔,所述基体凸设有与所述穿设孔相适配的凸起,所述凸起穿设于所述穿设孔并伸入所述第二腔体,所述第二气孔构造于所述凸起;每个所述贯穿孔朝向所述吸附盖板的一侧均压设有第一密封圈,所述基体朝向所述吸附盖板的一侧压设有第二密封圈,各个所述第一密封圈位于所述第二密封圈所围设的范围内。
在一些实施例中,沿第一轴线方向,所述吸附基座的一侧构造有凸设部和凹陷部,所述凸设部构造有多个绕所述第一轴线间隔布置的缺口,每个所述缺口对应一所述凹陷部;所述凸设部构造有多个间隔布置的吸附孔以限定形成所述第二吸附区,所述凹陷部构造有吸附通道,所述吸附平台还包括多个伯努利吸盘,每个所述伯努利吸盘安装于一所述凹陷部并连通于对应的所述吸附通道,以限定形成一所述第一吸附区。
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