[发明专利]电池片制备方法及光伏组件在审
申请号: | 202310580659.8 | 申请日: | 2023-05-18 |
公开(公告)号: | CN116544308A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 于琨;刘长明;王晓凡;周超;赵朋松;徐国平 | 申请(专利权)人: | 安徽晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 231600 安徽省合肥市肥东县合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开实施例涉及光伏组件领域,提供一种电池片制备方法及光伏组件,方法包括:提供至少一个批次硅片,每一批次硅片包括标准硅片和测试片,对每一批次硅片进行如下的工艺步骤:对同一批次硅片中标准硅片背面进行刻蚀工艺,标准硅片背面形成多个塔基;在刻蚀工艺之后,在同一工艺步骤中,对同一批次的标准硅片和测试片进行预处理工艺;在等待时间后,获取实测厚度;基于实测厚度和任意标准硅片背面上的多个塔基的平均尺寸,获取预测厚度;基于预测厚度与目标厚度的差值,确定在标准硅片背面形成隧穿氧化层的工艺参数,并采用工艺参数在标准硅片背面形成隧穿氧化层,至少有利于提高不同批次硅片背面的氧化层厚度的均一性。 | ||
搜索关键词: | 电池 制备 方法 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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