[发明专利]电池片制备方法及光伏组件

说明书

本公开实施例涉及光伏组件领域，提供一种电池片制备方法及光伏组件，方法包括：提供至少一个批次硅片，每一批次硅片包括标准硅片和测试片，对每一批次硅片进行如下的工艺步骤：对同一批次硅片中标准硅片背面进行刻蚀工艺，标准硅片背面形成多个塔基；在刻蚀工艺之后，在同一工艺步骤中，对同一批次的标准硅片和测试片进行预处理工艺；在等待时间后，获取实测厚度；基于实测厚度和任意标准硅片背面上的多个塔基的平均尺寸，获取预测厚度；基于预测厚度与目标厚度的差值，确定在标准硅片背面形成隧穿氧化层的工艺参数，并采用工艺参数在标准硅片背面形成隧穿氧化层，至少有利于提高不同批次硅片背面的氧化层厚度的均一性。

技术领域

本公开实施例涉及光伏组件领域，特别涉及一种电池片制备方法及光伏组件。

背景技术

太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。单体太阳电池不能直接发电做电源使用。作电源必须将若干单体电池通过焊带串、并联连接和严密封装成组件后使用。太阳能电池组件(也叫太阳能电池板)是太阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中最重要的部分。太阳能电池组件的作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。

TOPCon(Tunnel Oxide Passivating Contacts)电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的太阳能电池。其背面通常采用超薄隧穿氧化层+掺杂多晶硅层组合的结构，实现钝化接触效果，使得金属电极和晶体硅不形成直接接触，有助于减少载流子的复合，实现载流子的分离和收集。

隧穿氧化层的厚度是一个重要参数，合适的厚度范围可以实现优异的界面钝化和载流子的选择性收集，传统对隧穿氧化层厚度的测试方式忽略了生产隧穿氧化层工序前的氧化层厚度(碱抛光后硅片表面对环境较为敏感，氧化层生长较快)，造成了实际值偏大，对后续隧穿结构的开发造成困扰。

发明内容

本公开实施例提供一种电池片制备方法及光伏组件，至少有利于提高不同批次硅片背面的氧化层厚度的均一性。

根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种电池片制备方法，包括：提供至少一个批次硅片，每一批次硅片包括多个标准硅片以及至少一个测试片，测试片的材料与标准硅片的材料相同，测试片具有预设面；其中，对每一批次硅片进行如下的工艺步骤：对同一批次硅片中标准硅片背面进行刻蚀工艺，标准硅片背面形成多个塔基，且在刻蚀工艺后，标准硅片背面的粗糙度大于预设面的粗糙度；在刻蚀工艺之后，在同一工艺步骤中，对同一批次的标准硅片和测试片进行预处理工艺；在等待时间后，获取实测厚度，实测厚度为预设面上形成的第一自然氧化层的厚度，等待时间为预处理工艺结束后到形成隧穿氧化层开始前的时间；基于实测厚度和任意标准硅片背面上的多个塔基的平均尺寸，获取预测厚度，预测厚度表示为同一批次的标准硅片背面形成的第二自然氧化层的厚度；基于预测厚度与目标厚度的差值，确定在标准硅片背面形成隧穿氧化层的工艺参数，并采用工艺参数在标准硅片背面形成隧穿氧化层；其中，隧穿氧化层与第二自然氧化层共同构成总氧化层，总氧化层的厚度与目标厚度的差值小于或等于预设值。

在一些实施例中，在平行于标准硅片的表面的方向上，平均尺寸为标准硅片上多个塔基的平均宽度，预测厚度满足如下关系式：H2＝H1/(L1/20)^A，其中，H2为预测厚度，H1为实测厚度，L1为平均尺寸，A为常数。

在一些实施例中，形成隧穿氧化层的工艺包括：沉积工艺或者氧化工艺。

在一些实施例中，工艺参数包括：通氧量、氧化时间和氧化温度，当通氧量和氧化时间固定时，隧穿氧化层的厚度H满足如下关系式：H＝B1+B2×T+B3×(T-T0)²+B4×(T-T0)³；其中，B1、B2、B3和B4均为常数，T为氧化温度，T0为初始温度。