[发明专利]电池片制备方法及光伏组件

权利要求书

1.一种电池片制备方法，其特征在于，包括：

提供至少一个批次硅片，每一批次所述硅片包括多个标准硅片以及至少一个测试片，所述测试片的材料与所述标准硅片的材料相同，所述测试片具有预设面；其中，对每一批次所述硅片进行如下的工艺步骤：

对同一批次所述硅片中所述标准硅片背面进行刻蚀工艺，所述标准硅片背面形成多个塔基，且在所述刻蚀工艺后，所述标准硅片背面的粗糙度大于所述预设面的粗糙度；

在所述刻蚀工艺之后，在同一工艺步骤中，对同一批次的所述标准硅片和所述测试片进行预处理工艺；

在等待时间后，获取实测厚度，所述实测厚度为所述预设面上形成的第一自然氧化层的厚度，所述等待时间为所述预处理工艺结束后到形成隧穿氧化层开始前的时间；

基于所述实测厚度和任意所述标准硅片背面上的多个所述塔基的平均尺寸，获取预测厚度，所述预测厚度表示为同一批次的所述标准硅片背面形成的第二自然氧化层的厚度；

基于所述预测厚度与目标厚度的差值，确定在所述标准硅片背面形成所述隧穿氧化层的工艺参数，并采用所述工艺参数在所述标准硅片背面形成所述隧穿氧化层；其中，所述隧穿氧化层与所述第二自然氧化层共同构成总氧化层，所述总氧化层的厚度与所述目标厚度的差值小于或等于预设值。

2.根据权利要求1所述的电池片制备方法，其特征在于，在平行于所述标准硅片的表面的方向上，所述平均尺寸为所述标准硅片上多个所述塔基的平均宽度，所述预测厚度满足如下关系式：

H2＝H1/(L1/20)^A

其中，H2为所述预测厚度，H1为所述实测厚度，L1为所述平均尺寸，A为常数。

3.根据权利要求1所述的电池片制备方法，其特征在于，形成所述隧穿氧化层的工艺包括：沉积工艺或者氧化工艺。

4.根据权利要求3所述的电池片制备方法，其特征在于，所述工艺参数包括：通氧量、氧化时间和氧化温度，当所述通氧量和所述氧化时间固定时，所述隧穿氧化层的厚度H满足如下关系式：

H＝B1+B2×T+B3×(T-T0)²+B4×(T-T0)³；

其中，B1、B2、B3和B4均为常数，T为所述氧化温度，T0为初始温度。

5.根据权利要求4所述的电池片制备方法，其特征在于，B1的范围为-0.86～-0.82；B2的范围为0.009～0.02；B3的范围为-0.00059～-0.00056；B4的范围为1.02e^-5～1.04e^-5；所述氧化温度的范围为590℃～610℃；所述初始温度的范围为590℃～610℃。

6.根据权利要求4所述的电池片制备方法，其特征在于，形成所述隧穿氧化层的工艺步骤，包括：

将同一批次的所述标准硅片放置在管式设备中；

向所述管式设备中通入预设质量的氧气；

将所述管式设备升温至所述氧化温度并保持所述氧化时间。

7.根据权利要求6所述的电池片制备方法，其特征在于，向所述管式设备中通入预设质量的氧气采用的进气量的范围为25L/min～45L/min，通氧时间的范围为400～800s；所述氧化时间的范围为500s～900s。

8.根据权利要求1所述的电池片制备方法，其特征在于，所述测试片的晶向与所述标准硅片的晶向相同。

9.根据权利要求1所述的电池片制备方法，其特征在于，所述测试片的所述预设面具有多个凸起，在垂直于所述预设面的方向上，任一所述凸起相对于所述预设面的高度小于等于100nm。

10.一种光伏组件，其特征在于，包括：电池片，所述电池片采用权利要求1～9中任一项所述的电池片制备方法制备。