[发明专利]集成沟道二极管的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法在审
| 申请号： | 202310563743.9 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116525681A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张跃;张腾;黄润华;柏松;杨勇 | 申请（专利权）人： | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京睿之博知识产权代理有限公司 32296 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211111 江苏省南京市江宁经济技术*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成沟道二极管的碳化硅槽栅MOSFET器件及制造方法，器件包括第一沟槽、第二沟槽、第一导电类型衬底、外延层、源区和沟道二极管源区、第二导电类型阱区、沟道二极管阱区。本发明于第一沟槽中形成栅极电极，于第一沟槽和第二沟槽中形成沟道二极管控制栅，在不增加元胞尺寸的前提下，于元胞中集成沟道二极管。在第三象限工作条件下，沟道二极管充当器件的续流二极管，抑制了体二极管的导通，避免了双极退化效应，有效减小了功率损耗。同时，沟道二极管的引入明显减小了器件的栅电容，有效改善了器件的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 沟道 二极管 碳化硅 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心，未经南京第三代半导体技术创新中心有限公司;南京第三代半导体技术创新中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310563743.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冬季施工混凝土楼板保温覆盖的方法
- 下一篇：一种隧洞开挖方法
- 同类专利
- 专利分类
