[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310559032.4 | 申请日： | 2023-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN116314513A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈冬莲 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，所述衬底上沿外延方向依次设置有形核层、本征GaN层、N型半导体层、电子引导层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述电子引导层包括沿外延方向依次设置的第一电子储存层、第二电子拦截层及第三电子扩展层；所述第二电子拦截层的禁带宽度＞所述第三电子扩展层的最大禁带宽度＞所述第一电子储存层的禁带宽度。本发明的外延片发光波长和发光亮度分布均匀，抗静电能力佳。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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