[发明专利]闪存的操作电压修调电路和方法在审
| 申请号： | 202310485625.0 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116564390A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存的操作电压修调电路中，存储单元都采用双分离栅浮栅器件，两个浮栅分别形成一个存储位；对选定存储位进行编程时，对应的控制栅线连接控制栅编程电压，靠近存储位的位线连接源编程电压。操作电压修调电路包括：第一电荷泵，控制端连接多位第一数字信号，输出端输出大小由第一数字信号控制的源编程电压。第二电荷泵，控制端连接多位第二数字信号，输出端输出大小由第二数字信号控制控制栅编程电压。两个存储位编程时的第一和第二数字信号分别通过对多个存储单元的对应的存储位进行快编程测试得到，使两个存储位编程时的源编程电压和控制栅编程电压独立设置。本发明还提供一种闪存的操作电压修调方法。本发明能提高编程效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 操作 电压 电路 方法 | ||
【主权项】：
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