[发明专利]闪存的操作电压修调电路和方法

权利要求书

1.一种闪存的操作电压修调电路，其特征在于，闪存包括多个存储单元；各所述存储单元都采用双分离栅浮栅器件；

所述双分离栅浮栅器件包括：对称设置的第一源漏区和第二源漏区，位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的二个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于所述第一栅极结构之间的第二栅极结构；所述第一栅极结构中具有位于所述浮栅顶部的控制栅；

沟道区位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间且被各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构所覆盖，各所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分别控制所覆盖的所述沟道区的区域段，两个所述第一栅极结构所覆盖的所述沟道区的区域段的长度具有偏差；

各所述第一栅极结构的所述控制栅连接到对应的控制栅线，所述第一源漏区和所述第二源漏区连接到对应的位线；两个所述第一栅极结构的所述浮栅分别形成一个存储位；对选定的所述存储位进行编程时，所述存储位对应的所述控制栅线连接控制栅编程电压，靠近所述存储位的所述位线连接源编程电压；

令靠近所述第一源漏区的所述存储位为第一存储位以及靠近所述第二源漏区的所述存储位为第二存储位；

操作电压修调电路包括：

第一电荷泵，所述第一电荷泵的控制端连接多位第一数字信号，所述电荷泵的输出端输出所述源编程电压，所述源编程电压的大小由所述第一数字信号控制；

第二电荷泵，所述第一电荷泵的控制端连接多位第二数字信号，所述电荷泵的输出端输出所述控制栅编程电压，所述源编程电压的大小由所述第二数字信号控制；

所述第一存储位编程时的所述第一数字信号和所述第二数字信号通过对所述闪存中多个所述存储单元的所述第一存储位进行快编程测试得到，所述第二存储位编程时的所述第一数字信号和所述第二数字信号通过对所述闪存中多个所述存储单元的所述第二存储位进行快编程测试得到，使所述第一存储位编程时的所述源编程电压和所述控制栅编程电压的设置独立于所述第二存储位编程时的所述源编程电压和所述控制栅编程电压的设置，以消除两个所述第一栅极结构所覆盖的所述沟道区的区域段的长度偏差对编程效率的影响并从而同时提高所述第一存储位和所述第二存储位的编程效率。

2.如权利要求1所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：两个所述第一栅极结构的宽度通过光刻定义，两个所述第一栅极结构所覆盖的所述沟道区的区域段的长度具有光刻工艺带来的偏差。

3.如权利要求1所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：所述操作电压修调电路还包括：第一数据选择器和第二数据选择器；

所述第一数据选择器的输入端连接第三数字信号和第四数字信号，控制端连接选择信号，输出端输出所述第一数字信号，所述第一数据信号为从所述第三数字信号和所述第四数字信号中选择的一个信号；

所述第二数据选择器的输入端连接第五数字信号和第六数字信号，控制端连接所述选择信号，输出端输出所述第二数字信号，所述第二数据信号为从所述第五数字信号和所述第六数字信号中选择的一个信号。

4.如权利要求3所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：当对所述第一存储位进行编程时以及进行所述快编程测试时，所述选择信号使所述第一数据信号选择所述第三数字信号以及使所述第二数字信号选择所述第五数字信号；

当对所述第二存储位进行编程时以及进行所述快编程测试时，所述选择信号使所述第一数据信号选择所述第四数字信号以及使所述第二数字信号选择所述第六数字信号。

5.如权利要求4所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：在所述闪存中，各所述存储单元的所述第一存储位和所述第二存储位通过所述控制栅线的地址的奇偶来区分。

6.如权利要求5所述的闪存的操作电压修调电路，其特征在于：在所述快编程测试中，同时对多个所述存储单元对应的存储位进行编程测试。