[发明专利]一种屏蔽分裂栅SiC MOSFET的制备方法及结构在审
| 申请号： | 202310472017.6 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116825634A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张帅;汪之涵;张良关;蔡雄飞 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 | 代理人： | 姜宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽分裂栅SiC MOSFET结构的制备方法以及结构，所述制备方法包括步骤：S1：通过离子注入在SiC外延片上形成P base区、N plus区和P Plus区并高温退火激活；S2：刻蚀形成沟槽；S3:形成第一介质层；S4：去除与所述外延层上表面对应的第一介质层，保留与所述沟槽的槽壁和槽底对应区域的第一介质层；S5：形成屏蔽栅N+区域；S6：形成PN区；S7:淀积栅氧化层；S8：去除所述外延层顶部的栅氧化层并在所述沟槽内的栅氧化层上形成栅槽；S9：在步骤S8所得栅槽内生长N+Poly Si形成分裂栅。采用本发明所述制备方法得到的屏蔽分裂栅SiC MOSFET结构适用于高压场景、提升了开关速度、降低了开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 分裂 sic mosfet 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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