[发明专利]半导体器件及芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202310465648.5 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116344447A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 丁一凡;梁成栋;何亮亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及芯片的制造方法，所述半导体器件包括：一晶圆，具有多个曝光区以及连接相邻所述曝光区之间的第一切割道区，所述曝光区具有多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的第二切割道区；多个测试结构，位于所述第一切割道区和/或所述曝光区的拐角和中心处。本发明的技术方案能够有效提高每片晶圆切割形成的芯片的数量的同时，还能保证芯片的质量，从而提高生产的芯片的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
