[发明专利]半导体器件及芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

一晶圆，具有多个曝光区以及连接相邻所述曝光区之间的第一切割道区，所述曝光区具有多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的第二切割道区；

多个测试结构，位于所述第一切割道区和/或所述曝光区的拐角和中心处。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一切割道区的宽度大于所述测试结构的宽度，且所述测试结构的宽度大于所述第二切割道区的宽度时，所述测试结构位于所述第一切割道区；所述第一切割道区的宽度等于所述第二切割道区的宽度，且所述测试结构的宽度大于所述第二切割道区的宽度时，所述测试结构位于所述曝光区的拐角和中心处，或者，所述测试结构位于所述曝光区的拐角和中心处，且位于所述曝光区的拐角处的测试结构还延伸至所述第一切割道区。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述测试结构的宽度为49微米～51微米。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一切割道区的宽度大于所述测试结构的宽度，且所述测试结构的宽度大于所述第二切割道区的宽度时，所述第一切割道区的宽度为60微米～80微米，所述第二切割道区的宽度为19微米～20微米；所述第一切割道区的宽度等于所述第二切割道区的宽度，且所述测试结构的宽度大于所述第二切割道区的宽度时，所述第一切割道区和所述第二切割道区的宽度均为19微米～20微米。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述测试结构位于所述第一切割道区时，所述测试结构环绕所述曝光区。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述曝光区的数量为60个～70个。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于单个所述曝光区外围的所述第一切割道区和/或单个所述曝光区的拐角和中心处的所述测试结构的数量为70个～80个。

8.一种芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件；

切割所述晶圆的第一切割道区和第二切割道区，以得到芯片。

9.如权利要求8所述的芯片的制造方法，其特征在于，所述晶圆包括衬底以及形成于所述衬底上的钝化层，所述钝化层中形成有金属互连结构。

10.如权利要求9所述的芯片的制造方法，其特征在于，切割所述晶圆的第一切割道区和第二切割道区的步骤包括：

采用干法刻蚀工艺切割所述第一切割道区和所述第二切割道区的所述金属互连结构上的钝化层和所述金属互连结构中的顶层金属层；

采用激光切割所述第一切割道区和所述第二切割道区剩余的所述钝化层、剩余的所述金属互连结构以及所述衬底。