[发明专利]一种直流反应磁控溅射制备氮化铝单晶衬底的方法在审
| 申请号： | 202310465495.4 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116463729A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 姜平;杨军;孔玮 | 申请（专利权）人： | 西湖烟山科技（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/06;C30B25/18 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 孙孟辉 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料领域，尤其涉及一种直流反应磁控溅射制备氮化铝单晶衬底的方法，包括：提供一金属基底，使用化学试剂清洗、吹干；将金属基底放入直流磁控溅射沉积腔室，沉积晶体结构为面心立方的金属，形成金属层；利用直流磁控溅射方法在金属层沉积氮化铝单晶薄膜，获得氮化铝单晶衬底；在直流磁控溅射沉积腔室中降温至不大于100℃后，取出氮化铝单晶衬底。本发明方法简单、生产面积大、成本低，同时金属钨的引入可以有效的降低衬底的应力，提高氮化铝材料的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流 反应 磁控溅射 制备 氮化 铝单晶 衬底 方法 | ||
【主权项】：
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