[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备工艺在审
| 申请号： | 202310461968.3 | 申请日： | 2023-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN116344587A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;杨卓;黄薛佺;朱晨凯 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 曹丽丹 |
| 地址： | 214029 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备工艺，MOSFET器件包括高浓度N型漏极及漏极金属，在高浓度N型漏极上设有低浓度的N型外延层，在N型外延层上方设有P型阱区，在P型阱区表面设有高浓度N型源极和高浓度P型源极，在N型外延层远离高浓度N型漏极的一端表面设有纵向沟槽，纵向沟槽内部设有多晶硅，且多晶硅外围被栅氧化层包裹，在纵向沟槽底部正下方区域的N型外延层中还设有P型掺杂区，P型掺杂区向靠近高浓度N型漏极方向延伸，高浓度N型源极和高浓度P型源极表面还设有接触孔和介质层。本发明能够对器件的栅氧化层提供全面的保护，同时P型掺杂区的形成不需要使用掩模版，提高精度的同时降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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