[发明专利]一种具有p沟道的GaN基HEMT器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310441727.2 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116314274A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王中健;曹远迎 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778;H01L29/30;H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有p沟道的GaN基HEMT器件的制备方法，所述方法包括：在金刚石衬底上键合硅薄膜，所述硅薄膜的厚度为20nm‑200nm；在所述硅薄膜上外延生长GaN层；在所述GaN层上外延生长AlGaN层，在所述AlGaN层上生长p‑GaN层及工艺保护层；在GaN HEMT功率器件一侧的金刚石衬底上形成钝化层；在钝化层以及工艺保护层上生长BaF |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 沟道 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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