[发明专利]二维外尔半金属晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202310428691.4 | 申请日： | 2023-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116497446A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 邱海龙;霍宗举;赵博进;胡章贵;吴以成 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B25/00 |
| 代理公司： | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人： | 张宏 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维外尔半金属晶体的制备方法，首先将片状金属铌箔或钽箔与粉末状的砷或红磷作为反应原料以四氯化碲作为输运剂加入到石英管中，然后将尺寸合适的蓝宝石衬底放入石英管中，将石英管抽真空后密封；将密封后的石英管水平放置于管式生长炉中，通过控制升温，保温及降温程序来生长二维外尔半金属晶体。本发明采用了水平生长工艺，晶体在衬底上生长时不需要大的传输路程，可以保持晶体生长的连续性；降低了石英管中的纵向和径向温度梯度，使反应过程更加稳定，从而有利于获得较大尺寸的单晶薄片。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 外尔半 金属 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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