[发明专利]一种硅压阻式压力传感器封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202310423122.0 | 申请日： | 2023-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116443803A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 聂少校;孟凡瑞;高成臣;杨振川 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅压阻式压力传感器封装结构及封装方法，所述硅压阻式压力传感器芯片通过粘胶固定在接线基座上，硅压阻式压力传感器芯片的输入输出电极通过键合引线与引线柱实现电信号连接，通过化学气相沉积的方法将派瑞林薄膜覆盖包裹硅压阻式压力传感器芯片和键合引线，起到隔离介质，保护压力传感器芯片和键合引线的作用。该封装结构可以有效减少封装体积，降低封装难度，且由于化学气相沉积法具有可同批次多传感器淀积的特点，可以进行大批量并行加工，有效降低硅压阻式压力传感器的封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅压阻式 压力传感器 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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