[发明专利]Nor闪存阵列的制作方法有效
| 申请号： | 202310417599.8 | 申请日： | 2023-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116156890B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 金波 | 申请（专利权）人： | 杭州领开半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 卢云芊 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Nor闪存阵列的制作方法。该Nor闪存阵列的制作方法中，提供的基底中形成有阱区，在阱区的基底顶部形成第一掺杂区，之后在第一掺杂区的基底上方形成阵列排布的多个第一栅极结构；其中，Nor闪存阵列的一个存储管包括一个第一栅极结构，第一掺杂区中与一个第一栅极结构位置对应的区域为一个存储管的沟道区，相邻两个存储管的沟道区之间未存在PN结，Nor闪存阵列的一个存储单元包括沿第一方向排布的多个存储管，同一存储单元中，相邻两个存储管通过相邻两个存储管的第一栅极结构之间的第一掺杂区串联，如此有利于增加存储管的沟道长度，同时使得存储管之间的排列更加紧密，提高Nor闪存阵列的性能和经济性。 | ||
| 搜索关键词： | nor 闪存 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
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