[发明专利]氮化物外延结构、外延生长方法及其应用在审
| 申请号： | 202310410667.8 | 申请日： | 2023-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN116732607A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 徐建喜;徐俞;王钰宁;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;H01S5/30;C30B25/20;C30B25/16;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物外延结构、外延生长方法及其应用。所述氮化物外延结构包括依次层叠设置的六方氮化硼层、单层非晶氮化硼层以及氮化物半导体层；氮化物半导体层是由所述六方氮化硼层经过远程外延作用生长形成的。所述外延生长方法包括：在衬底上生长六方氮化硼层；生长单层非晶氮化硼层；生长氮化物半导体层。本发明所提供的一种基于原位生长单层非晶氮化硼/六方氮化硼复合插入层的氮化物半导体层的外延生长方法，以多层六方氮化硼为极性底层配合单层非晶氮化硼层，实现了在任意衬底上远程外延生长低晶界缺陷、低失配位错、低应力的高质量单晶氮化物薄膜；此外，外延层剥离后的六方氮化硼/外延衬底可以反复利用，能够降低材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 外延 结构 生长 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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