[发明专利]一种芯片及芯片的设计方法在审
| 申请号： | 202310369319.0 | 申请日： | 2023-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN116093022A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 赵旭东;华菲;赵作明 | 申请（专利权）人： | 北京华封集芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种芯片及芯片的设计方法，该芯片包括：基底层（101）；设置在所述基底层（101）上的金属层（102），所述金属层（102）至少包括表层金属（105）和底层金属（106）；设置在所述表层金属（105）上的多个连接点（103）；以及设置在所述底层金属（106）上且与部分连接点（103）一一对应连通的管脚井（104），且所述管脚井（104）包括多个依次纵向连通的管脚（107）。本发明通过设置管脚井，有效减小了芯片向外传输信号的距离，提供了一个信号传输的高速通道，在集成多个芯片时可以有效地传输高速信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 设计 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
