[发明专利]一种记忆电机离线充去磁方法及装置在审

专利信息
申请号: 202310367783.6 申请日: 2023-04-07
公开(公告)号: CN116455293A 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 阳辉;刘兴;林鹤云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02P25/02 分类号: H02P25/02;H02P21/22;H02P21/00;H02P27/06
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 张恩慧
地址: 210096 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属于记忆电机控制领域,公开一种记忆电机离线充去磁方法及装置,包括以下步骤:通过保持逆变器B相与C相的上桥臂关断、下桥臂导通,给定A相桥臂占空比,来控制电机A相绕组电流为正值,将电机转子d轴与定子A相绕组对齐;基于预设调磁状态设定调磁电流幅值确定调磁电流轨迹,利用PI控制器对A相电流进行闭环控制,获得逆变器A相桥臂占空比,使实际A相电流跟踪所设定的调磁电流轨迹,同时,根据充去磁操作控制逆变器B相与C相的桥臂导通进行调磁。利用逆变器实现记忆电机的离线充去磁,无需获取电机转子位置信息即可实现记忆电机永磁体磁化状态的初始化控制,使其在电机起动前保持在较高水平以降低电机起动电流。
搜索关键词: 一种 记忆 电机 离线 充去磁 方法 装置
【主权项】:
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