[发明专利]一种偏压辅助半导体薄膜、制备方法及其应用

摘要

本发明属于半导体领域，具体涉及一种偏压辅助半导体薄膜、制备方法及其应用。所述制备方法首先将设备背景抽真空，然后向腔室内通入氩气和氧气并转动闸板阀调节工作压强，随后先预溅射以确保功率稳定、正常起辉，最后设置Ga2O3靶材的射频功率和Al靶材的直流功率，待达到溅射时间后依次关闭设备。所述偏压辅助半导体薄膜的制备方法，通过在溅射过程中施加偏压来达到调整铝含量的目的；另外经检测可知，当施加偏压时能改善薄膜的结晶质量，同时薄膜中不含有任何其他杂质，并且薄膜密集地填充着大小均匀的等轴颗粒以及表面没有观察到明显的缺陷，相应探测器光电性能优异。