[发明专利]一种接触孔测试结构和接触孔测试方法在审
| 申请号： | 202310345608.7 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116314140A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 曾繁中;宋永梁;刘倩倩 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 黄贞君;赵然 |
| 地址： | 201208 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种接触孔测试结构和接触孔测试方法，接触孔测试结构包括设置于半导体衬底上的有源区接触孔测试结构、多晶硅接触孔测试结构、第一漏电测试结构以及第二漏电测试结构。其中，有源区接触孔测试结构包括若干串联的第一链条，多晶硅接触孔测试结构包括若干串联的第二链条，有源区接触孔测试结构和多晶硅接触孔测试结构的延伸方向相同；第一漏电测试结构包括若干第三链条，每一第三链条对应插入两相邻的第一链条之间；第二漏电测试结构通过二极管结构与有源区接触孔测试结构连接，第二漏电测试结构包括若干第四链条，每一第四链条对应插入两相邻的第二链条之间。本发明节约了版图面积，减少了漏电测试时间，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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