[发明专利]一种MEMS表压传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310344749.7 | 申请日： | 2023-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN116659731A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 周浩楠;王齐;陈广忠;张亚婷 | 申请（专利权）人： | 北京智芯传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100080 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的提供了一种MEMS表压传感器及其制备方法，包括硅片、压敏电阻、应变膜、金属引线；所述硅片含有顶硅层、底硅层、空腔及气路通孔，空腔位于硅片下方位置，即顶硅层内部；气路通孔贯穿硅片正反面，空腔是上方是应变膜；在应变膜上共有四个压敏电阻，四个压敏电阻构成惠斯通电桥，用金属导线引出。通过在传感器芯片上制造与大气相通的气路孔，改善传感器的应力变形，粘片困难等问题，同时无需通过封装结构实现双气嘴朝上，减少封装成本，从而达到表压传感器测量更准确的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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