[发明专利]一种MEMS表压传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS表压传感器，其特征在于，包括：硅片、压敏电阻、应变膜、金属引线；所述硅片包含顶硅层、底硅层、空腔及气路通孔；所述顶硅层位于底硅层上表面；所述空腔位于顶硅层内部；所述应变膜位于空腔上方；所述压敏电阻在应变膜上，所述压敏电阻由金属引线引出；所述气路通孔包含气孔和气路槽两部分；所述气孔位于顶硅层上，与外界接通；所述气路槽位于底硅层顶部，连接气孔与空腔。

2.根据权利要求1所述的MEMS表压传感器，其特征在于，所述MEMS表压传感器有四个压敏电阻，所述四个压敏电阻设置在所述空腔四边的正上方位置；所述压敏电阻采用惠斯通电桥方式连接，构成惠斯通电桥。

3.根据权利要求1所述的MEMS表压传感器，其特征在于，所述空腔设置在所述顶硅层下方，由对所述顶硅层下表面光刻或刻蚀形成开放空腔，再与所述底硅层上表面键合制备形成。

4.根据权利要求1所述的MEMS表压传感器，其特征在于，所述气孔由对所述顶硅层光刻或刻蚀形成开放通孔制备形成。

5.根据权利要求1所述的MEMS表压传感器，其特征在于，所述气路槽由对所述底硅层光刻或刻蚀形成开放空腔再与所述顶硅层下表面键合制备形成。

6.根据权利要求1所述的MEMS表压传感器，其特征在于，所述硅片为单晶硅片或者SOI硅片；所述金属引线为金属铬、金或钯银合金。

7.如权利要求1~6任一所述MEMS表压传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在顶硅层进行平整化处理，并制作相互连接的压敏电阻；

（2）在顶硅层的正面制作引线；

（3）在顶硅层的下表面进行光刻，形成开放腔体；

（4）在顶硅层的上表面进行光刻，形成气孔；

（5）在底硅层的上表面进行光刻，形成开放腔体的气路槽；

（6）通过将顶硅层下表面与底硅层上表面键合，形成空腔，完成所述MEMS表压传感器的制备。

8.根据权利要求7所述的MEMS表压传感器的制备方法，其特征在于，所述顶硅层为单晶硅或SOI硅片；所述底硅层为单晶硅或玻璃。