[发明专利]一种具有热电优值控制层的半导体激光器在审
| 申请号： | 202310324962.1 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116316071A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;张江勇;蔡鑫;黄军;刘紫涵 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于所述衬底和下限制层的Si掺杂浓度，所述热电优值控制层的C杂质浓度小于所述下限制层的C杂质浓度，所述热电优值控制层的H杂质浓度小于或等于所述下限制层的H杂质浓度。本发明提升激光器系统的模式增益、功率因子和斜率效率，斜率效率提升125％，光功率提升37％，限制因子提升50％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 热电 控制 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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