[发明专利]一种具有热电优值控制层的半导体激光器

权利要求书

1.一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，其特征在于，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；

所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于所述衬底和下限制层的Si掺杂浓度，所述热电优值控制层的C杂质浓度小于所述下限制层的C杂质浓度，所述热电优值控制层的H杂质浓度小于或等于所述下限制层的H杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层中，Si掺杂浓度≥H杂质浓度≥C杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于1E19cm^-3。

4.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层的C杂质浓度为1E15cm^-3至1E17cm^-3。

5.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层的H杂质浓度为5E16cm^-3至5E17cm^-3。

6.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述热电优值控制层为AlGaN、AlInGaN、GaN、AlInN、InGaN的任意一种或任意组合，厚度为10～50000埃米。

7.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述下限制层、下波导层、上波导层、电子阻挡层、上限制层包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、AlN、InN、AlInN、SiC、G_a2O₃、BN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP的任意一种或任意组合。

8.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，周期为m:1≤m≤3；有源层的阱层为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlInGaN、AlGaN的任意一种或任意组合，厚度为p:5≤p≤100埃米；所述有源层的垒层为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlInGaN、AlN的任意一种或任意组合，厚度为q:10≤q≤200埃米。

9.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述下波导层的厚度为x:10≤x≤9000埃米；所述上波导层的厚度为y:10≤y≤9000埃米；所述下限制层的厚度为z:10≤z≤90000埃米；所述上限制层和电子阻挡层的厚度均为n:10≤n≤80000埃米。

10.根据权利要求1所述的具有热电优值控制层的半导体激光器，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石、硅、Ge、SiC、AlN、GaN、GaAs、InP、蓝宝石/SiO₂复合衬底、蓝宝石/AlN复合衬底、蓝宝石/SiN_x、镁铝尖晶石MgAl₂O₄、MgO、ZnO、ZrB₂、LiAlO₂和LiGaO₂复合衬底的任意一种。