[发明专利]半导体器件及其制造方法和刻蚀方法在审
| 申请号： | 202310320098.8 | 申请日： | 2023-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116230652A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 严强生;卓明川;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法和刻蚀方法。所述半导体器件包括衬底、顶部金属层和钝化层；所述顶部金属层设置于所述衬底的表面；所述钝化层覆盖所述顶部金属层及其周围的衬底，所述钝化层包括自下而上的第一介质层、刻蚀停止层、第二介质层和硬掩模层，所述第一介质层和所述第二介质层的材料相同，所述刻蚀停止层和所述硬掩模层的材料与所述第一介质层的材料不同。本发明通过制备包含第一介质层、刻蚀停止层、第二介质层和硬掩模层的钝化层，利用不同材料具有的刻蚀速率不同的特性确保了后续金属互连工艺的顺利进行，减少或避免顶部金属层在钝化层的刻蚀过程中受到等离子体损伤，提高了半导体器件的产量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
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