[发明专利]一种半导体晶体解理设备及解理方法有效

专利信息
申请号: 202310302868.6 申请日: 2023-03-27
公开(公告)号: CN116000458B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 郭路安;赵润;李波;王俊 申请(专利权)人: 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
主分类号: B23K26/359 分类号: B23K26/359;B23K26/70;H01L21/67
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 薛异荣
地址: 215000 江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路1*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭示了一种半导体晶体解理设备及解理方法,半导体晶体解理设备包括:基台,基台的上表面适于放置半导体晶体;第一位置调节单元,第一位置调节单元适于调整基台的空间位置;X射线光源,位于基台的上方,X射线光源适于出射X射线;光电探测器,光电探测器适于接收半导体晶体反射X射线之后形成的反馈光;第二位置调节单元,第二位置调节单元适于通过调节光电探测器的位置进而调节X射线的出射方向和反馈光的方向之间的夹角;预划线确定单元;主激光发射器;振镜单元;振镜单元适于移动主激光使主激光沿着预划线位置在半导体晶体表面形成预划线。所述半导体晶体解理设备能对半导体晶体实现高精度的解理且避免半导体晶体发生破损。
搜索关键词: 一种 半导体 晶体 解理 设备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司,未经苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310302868.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top