[发明专利]一种半导体晶体解理设备及解理方法有效
申请号: | 202310302868.6 | 申请日: | 2023-03-27 |
公开(公告)号: | CN116000458B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 郭路安;赵润;李波;王俊 | 申请(专利权)人: | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
主分类号: | B23K26/359 | 分类号: | B23K26/359;B23K26/70;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
地址: | 215000 江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路1*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶体 解理 设备 方法 | ||
1.一种解理方法,采用半导体晶体解理设备,所述半导体晶体解理设备包括:基台,所述基台的上表面适于放置半导体晶体;第一位置调节单元;X射线光源,位于所述基台的上方,所述X射线光源适于出射X射线;光电探测器,位于所述基台的上方,所述光电探测器适于接收半导体晶体反射所述X射线之后形成的反馈光;第二位置调节单元;主激光发射器;振镜单元,所述主激光发射器适于将主激光发射至所述振镜单元的入光口;其特征在于,包括:
步骤S1:将半导体晶体设置在基台的上表面;
步骤S2:第一位置调节单元通过调整基台的空间位置调整半导体晶体的空间位置,第二位置调节单元通过调节光电探测器的位置进而调节X射线的出射方向和反馈光的方向之间的夹角,直至光电探测器接收半导体晶体反射所述X射线之后形成的反馈光的强度达到特征峰值;
步骤S3:根据反馈光的强度达到特征峰值时对应的半导体晶体的空间位置、X射线的出射方向以及反馈光的方向在半导体晶体的表面确定预划线位置;
步骤S4:振镜单元移动主激光使主激光沿着预划线位置在半导体晶体表面形成预划线;
步骤S2包括:
步骤S21:第一位置调节单元调整基台的位置使得半导体晶体具有初始位置,第二位置调节单元调整X射线的出射方向和反馈光之间的夹角为初始夹角,所述初始夹角根据针对半导体晶体的目标解理面的布拉格衍射公式中的衍射角设置,当半导体晶体在所述初始位置时,半导体晶体的中心点的坐标为(A0,B0,C0),半导体晶体的第一旋转角度为第一角度,半导体晶体的第二旋转角度为第二角度,半导体晶体的第三旋转角度为第三角度;A0为半导体晶体的中心点在第一轴的第一初始坐标,B0为半导体晶体的中心点在第二轴的第二初始坐标,C0为半导体晶体的中心点在第三轴的第三初始坐标;
步骤S22:在半导体晶体的中心点的坐标保持(A0,B0,C0),第三旋转角度保持第三角度,第二旋转角度保持第二角度,X射线的出射方向和反馈光之间保持初始夹角的情况下,将第一旋转角度优化为第四角度,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第一峰值强度;
步骤S23:在半导体晶体的中心点的坐标保持(A0,B0,C0),第三旋转角度保持第三角度,第一旋转角度保持第四角度,X射线的出射方向和反馈光之间保持初始夹角的情况下,将第二旋转角度优化为第五角度,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第二峰值强度,第二峰值强度大于或等于第一峰值强度;
步骤S24:在半导体晶体的中心点的坐标保持(A0,B0,C0),第二旋转角度保持第五角度,第一旋转角度保持第四角度,X射线的出射方向和反馈光之间保持初始夹角的情况下,将第三旋转角度优化为第六角度,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第三峰值强度,第三峰值强度大于或等于第二峰值强度;
步骤S25:在圆的中心点的坐标保持(A0,B0,C0),第二旋转角度保持第五角度,第三旋转角度保持第六角度,X射线的出射方向和反馈光之间保持初始夹角的情况下,将第一旋转角度优化为第七角度,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第四峰值强度,第四峰值强度大于或等于第三峰值强度;
步骤S26:在圆的中心点的坐标保持(A0,B0,C0),第一旋转角度保持第七角度,第二旋转角度保持第五角度,第三旋转角度保持第六角度的情况下,将X射线的出射方向和反馈光的方向之间的夹角优化为第一夹角,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第五峰值强度,第五峰值强度大于或等于第四峰值强度;
步骤S27:在圆的中心点的坐标保持(A0,B0,C0),第二旋转角度保持第五角度,第三旋转角度保持第六角度的情况下,X射线的出射方向和反馈光的方向之间的夹角保持第一夹角的情况下,将第一旋转角度优化为第八角度,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第六峰值强度,第六峰值强度大于或等于第五峰值强度;
步骤S28:在第一旋转角度保持第八角度,第二旋转角度保持第五角度,第三旋转角度保持第六角度,X射线的出射方向和反馈光的方向之间的夹角保持第一夹角的情况下,将半导体晶体的中心点的坐标优化为(A1,B1,C1),使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第七峰值强度,第七峰值强度大于或等于第六峰值强度;A1为半导体晶体的中心点在第一轴的第四初始坐标,B1为半导体晶体的中心点在第二轴的第五初始坐标,C1为半导体晶体的中心点在第三轴的第六初始坐标;
步骤S29:在半导体晶体的中心点的坐标保持(A1,B1,C1),第一旋转角度保持第八角度,第二旋转角度保持第五角度,X射线的出射方向和反馈光的方向之间的夹角保持第一夹角的情况下,将第三旋转角度优化为第九角度,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到第八峰值强度,第八峰值强度大于或等于第七峰值强度;
步骤S29a:在半导体晶体的中心点的坐标保持(A1,B1,C1),第一旋转角度保持第八角度,将第三旋转角度保持第九角度,X射线的出射方向和反馈光的方向之间的夹角保持第一夹角的情况下的情况下,将第二旋转角度优化为第十角度,使得光电探测器得到的反馈光的强度达到特征峰值,特征峰值大于或等于第八峰值强度。
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