[发明专利]一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法有效
| 申请号： | 202310293802.5 | 申请日： | 2023-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN116013961B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 唐宁;孙真昊;陈帅宇;张仕雄;樊腾;姜稼阳;李国平;沈波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/267;H01L29/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法，采用原子层沉积系统的远端氧等离子体吹扫GaN单晶薄膜，使氧初始附着氮化镓表面；然后采用氧化物分子束外延统，在高温下利用臭氧氧化氮化镓表面，在GaN表面形成一层薄的氧化镓（GaO |
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| 搜索关键词： | 一种 表面 氧化 氮化 自旋 注入 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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