[发明专利]一种高比表面积金纳米颗粒修饰掺硼金刚石电极及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202310266615.8 申请日: 2023-03-20
公开(公告)号: CN116356279A 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 史丹;黄楠;刘鲁生;翟朝峰;杨兵;宋昊哲;姜辛 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/56;C23C14/16;C23C14/30;C23C14/58;C23C28/00;B82Y40/00;G01N27/327;G01N27/48
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 于晓波
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种高比表面积金纳米颗粒修饰掺硼金刚石电极及其制备方法和应用,属于金刚石电极技术领域。该电极制备步骤:(1)采用热丝化学气相沉积法制备掺硼金刚石薄膜;(2)采用反应离子刻蚀法,对掺硼金刚石薄膜进行反应氧等离子体刻蚀,得到具有纳米草形貌的纳米掺硼金刚石薄膜;(3)采用电子束蒸发技术,在纳米掺硼金刚石薄膜表面沉积一层金薄膜;(4)在氩气保护气氛下,对复合薄膜进行退火处理,制成高比表面积金纳米颗粒修饰掺硼金刚石电极。所述方法通过反应离子刻蚀和金纳米颗粒修饰两种手段解决了传统掺硼金刚石电极比表面积低、电化学活性位点不足的问题,可显著提升电极的电化学传感性能。
搜索关键词: 一种 表面积 纳米 颗粒 修饰 金刚石 电极 及其 制备 方法 应用
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