[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202310246087.X | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116171041A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张众 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向交替间隔设置的第一区域和第二区域；在基底上方形成介质层以及第一掩膜层；提供具有预设图案的预设光罩；利用预设光罩进行第一次图形转移，将预设图案转移至第一区域的第一掩膜层内，其中，第一次图形转移步骤中，预设光罩具有第一位置；利用同一预设光罩进行第二次图形转移，将预设图案转移至第二区域的第一掩膜层内，其中，第二次图形转移步骤中，预设光罩具有第二位置，第二位置与第一位置不同；以第一掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，以形成接触孔；形成填充满接触孔的位线接触窗。至少可以提高位线接触窗尺寸的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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