[发明专利]肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202310227240.4 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116230770A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王新中;李轩;娄谦;杨正羽;梁军;岳德武;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，通过在N+源区与反型沟道之间引入镇流电阻区及肖特基接触，实现镇流电阻区耗尽自调节：阻断状态时，镇流电阻区上方的肖特基/碳化硅接触界面电场较小，实现低泄漏电流及高击穿电压；正向导通时，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触部分耗尽，电子从N+源区通过未耗尽的中性区输运到反型沟道；短路状态时，镇流电阻区的电位随着电子电流增加而增加，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触耗尽程度显著提升，镇流电阻区内中性区面积迅速缩小，电子电流显著降低。本发明在保证碳化硅MOSFET器件静态及动态参数不产生退化的前提下，有效提升碳化硅MOSFET器件短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基结 辅助 耗尽 流电 碳化硅 mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳信息职业技术学院，未经深圳信息职业技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310227240.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
