[发明专利]肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件及制备方法

权利要求书

1.一种肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：包括漏极金属(6)、漏极金属(6)上方的N+衬底区(5)、N+衬底区(5)上方的N-漂移区(4)、N-漂移区(4)上方的电流扩展层(9)；所述电流扩展层(9)的内部上方中间设有栅极凹槽，栅极凹槽内设有多晶硅栅(52)、填充栅极凹槽的栅介质(62)，栅极凹槽下方为P+屏蔽层(10)，栅极凹槽左上方及右上方为P型基区(3)；所述P型基区(3)上方设有N+源区(8)；N+源区(8)左右两侧设有P+欧姆接触区(2)及镇流电阻区(11)，所述P+欧姆接触区(2)与N+源区(8)上方为源极金属(1)；所述镇流电阻区(11)上方为肖特基金属(7)；所述多晶硅栅(52)上方为栅极金属(12)。

2.根据权利要求1所述的肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述栅介质(62)为SiO₂。

3.根据权利要求1所述的肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述肖特基金属(7)为镍金属。

4.根据权利要求1所述的肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述P+欧姆接触区(2)、N+源区(8)、镇流电阻区(11)、P型基区(3)、电流扩展层(9)及P+屏蔽层(10)均为多次离子注入形成。

5.根据权利要求1所述的肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述P+欧姆接触区(2)、N+源区(8)、镇流电阻区(11)、P型基区(3)、电流扩展层(9)、P+屏蔽层(10)、N-漂移区(4)、N+衬底区(5)的材料均为碳化硅。

6.权利要求1至5任意一项所述的肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：清洗外延片，在带有电流扩展层的N-外延上注入铝离子形成P型基区；

第二步：以多晶硅为注入阻挡层注入铝离子形成P+欧姆接触区；

第三步：以多晶硅为注入阻挡层注入氮离子形成N+源区；

第四步：以多晶硅为注入阻挡层注入镇流电阻区；

第五步：刻蚀形成栅极沟槽；

第六步：注入铝离子形成P+屏蔽层；

第七步：干氧氧化生成栅氧化层，随后在氮气氛围下的退火淀积多晶硅，对多晶硅进行图形化；

第八步：淀积欧姆接触及肖特基接触金属，并刻蚀金属形成电极。