[发明专利]一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法在审
| 申请号： | 202310219410.4 | 申请日： | 2023-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN116343960A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 叶斌;李哲;丁科允 | 申请（专利权）人： | 江苏天芯微半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/06;C30B29/08;G01D21/02 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 214111 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种建立锗硅生长速率拟合模型的方法，所述方法包含以下步骤：S1、提供具有腔体的外延设备；S2、设定工艺参数，向所述腔体内通入工艺气体，在衬底上生长锗硅外延层；S3、获得该工艺参数对应的锗硅外延层的生长速率；S4、改变所述工艺参数，并重复S2至S3步骤，获得改变后的工艺参数下的锗硅外延层的生长速率；S5、根据每一个工艺参数和该工艺参数对应的生长速率，获得关于工艺参数的所述锗硅生长速率拟合模型；本发明提出的拟合模型能够准确推算锗硅外延层的生长速率，且适用工艺范围更广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 建立 生长 速率 拟合 模型 方法 | ||
【主权项】：
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