[发明专利]具有抑制衬底漏电结构的GaN HEMT器件与制作方法在审
| 申请号： | 202310211017.0 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116247094A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王路宇;张鹏浩;徐敏;王强;潘茂林;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 陈成;周冬文 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有抑制衬底漏电结构的GaNHEMT器件，包括：衬底，以及形成于衬底上的缓冲层；第一P+型掺杂区与第一N+型掺杂区；其中，第一P+型掺杂区形成于缓冲层中；第一N+型掺杂区形成于部分第一P+型掺杂区的表层，且第一P+型掺杂区包裹第一N+型掺杂区；GaNHEMT结构；形成于缓冲层的顶端；其中，GaNHEMT结构包括栅极金属层与漏极金属层；栅极金属层与漏极金属层沿水平方向排列；其中，第一N+型掺杂区覆盖漏极金属层的下方区域，且延伸到第一掺杂区域；第一掺杂区域表征了栅极金属层与漏极金属层之间的下方区域。该方案解决了缓冲层产生漏电通道导致的器件的漏电流的加剧的问题，进而避免出现器件提前击穿现象，实现了器件性能的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抑制 衬底 漏电 结构 gan hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310211017.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
