[发明专利]半导体光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310193349.0 | 申请日： | 2023-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116661061A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 河野直哉;藤原直树;齐藤晋圣;藤泽刚;佐藤孝宪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 任天诺;高培培 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供制造容易且能够提高耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件具备：基板，具有由硅形成的第一光波导；及半导体元件，接合于所述基板的上表面，具有由III‑V族化合物半导体形成的第二光波导，所述第一光波导和所述第二光波导形成定向耦合器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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