[发明专利]半导体光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体光元件，具备：

基板，具有由硅形成的第一光波导；及

半导体元件，接合于所述基板的上表面，具有由III-V族化合物半导体形成的第二光波导，

所述第一光波导和所述第二光波导形成定向耦合器。

2.根据权利要求1所述的半导体光元件，

所述第一光波导具有以向所述第二光波导接近的方式弯曲的形状。

3.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述第一光波导具有第一部分和第二部分，

所述第二部分与所述第二光波导之间的距离比所述第一部分与所述第二光波导之间的距离小，

所述第二部分和所述第二光波导形成所述定向耦合器。

4.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述第二光波导在宽度方向上位于所述第一光波导的一个端部之上且不延伸至所述第一光波导的另一个端部。

5.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

在所述第一光波导及所述第二光波导的宽度方向上，所述第一光波导的所述第二部分的中心从所述第二光波导的中心分离。

6.根据权利要求5所述的半导体光元件，

在所述基板和所述半导体元件被接合的方向上，所述第一光波导的所述第二部分的至少一部分不与所述第二光波导重叠。

7.根据权利要求3所述的半导体光元件，

具备设置于所述第一光波导的所述第一部分的相位调整部。

8.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述第一光波导和所述第二光波导形成多个所述定向耦合器，

所述多个定向耦合器沿着所述第一光波导及所述第二光波导的延伸方向而排列。

9.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述半导体元件具有第一半导体层和台面，

所述第一半导体层接合于所述基板的上表面，

所述台面从所述第一半导体层向与所述基板相反的一侧突出，具有所述第二光波导。

10.根据权利要求9所述的半导体光元件，

所述台面具有第二半导体层、第三半导体层及第四半导体层，

第二半导体层、第三半导体层及第四半导体层依次层叠于所述第一半导体层之上，

所述第三半导体层具有多量子阱构造。

11.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述基板具有依次层叠的第一层、第二层及第三层，

所述第一层及所述第三层由硅形成，

所述第二层由氧化硅形成，

所述半导体元件接合于所述第三层。

12.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述基板具有2个所述第一光波导，

所述2个第一光波导和所述第二光波导形成所述定向耦合器。

13.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述半导体元件具有光学增益，

所述半导体元件作为激光元件发挥功能。

14.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，

所述第一光波导具有锥部，

所述锥部越向所述第一光波导的顶端接近则变得越细，

所述第一光波导的所述锥部和所述第二光波导形成所述定向耦合器。

15.根据权利要求14所述的半导体光元件，

所述第一光波导的所述锥部相对于所述第一光波导延伸的方向具有非对称的形状。